Cụm từ "metal-oxide-semiconductor" bắt nguồn từ một qui trình chế tạo các vi mạch tích hợp CMOS trước đây. Qui trình này tạo ra các transistor hiệu ứng trường mà mỗi transistor có một điện cực cổng bằng kim loại được đặt lên trên một lớp cách điện bằng oxide phủ trên vật liệu bán dẫn. Ngày nay, thay vì dùng kim loại, người ta tạo ra điện cực cổng bằng một vật liệu khác, đó là polysilicon. Tuy nhiên, IBM và Intel đã công bố sẽ sử dụng trở lại cổng kim loại trong công nghệ CMOS nhằm tận dụng tính chất tiên tiến của vật liệu có hằng số điện môi cao trong việc chế tạo các vi mạch có kích thước 45 nanomét hay nhỏ hơn. Dù có nhiều thay đổi, tên gọi CMOS vẫn tiếp tục được sử dụng trong các qui trình chế tạo hiện đại[1].
Xin lỗi bạn không thể down load tài liệu này. Bạn có thể xem tài liệu trực tuyến trên website hoặc liên hệ thư viện trường để được hướng dẫn. Cảm ơn bạn đã sử dụng dịch vụ của chúng tôi.
Bạn vui lòng tham khảo thỏa thuận sử dụng của thư viện số.