Tài liệu Thư viện số
- Giáo trình SPKT (394 )
- Luận văn, luận án (2864 )
- Đồ án, khóa luận tốt nghiệp (9044 )
- Tài liệu tham khảo (1350 )
- BC nghiên cứu khoa học (1588 )
- Kỷ yếu hội thảo (12 )
- Tạp chí khoa học (62 )
- Luật (253 )
- Cơ khí chế tạo máy (2344 )
- Điện - Điện tử (4381 )
- Cơ khí động lực (1242 )
- Xây dựng - Kiến trúc (3233 )
- Thực phẩm, Môi trường (1087 )
- Công nghệ thông tin (3078 )
- Kinh tế - Quản lý (4148 )
- In - Truyền thông (383 )
- CN May - thời trang (832 )
- Nghệ thuật - Ẩm thực (1516 )
- Nông - Lâm - Ngư Nghiệp (763 )
- Y học - Sức khỏe (620 )
- Khoa học xã hội (3535 )
- Lịch sử - Địa lý - Du lịch (492 )
- Khoa học tự nhiên (2112 )
- Văn học (2587 )
- Ngôn ngữ (4248 )
- Khoa học ứng dụng (408 )
- Thông tin Tuyển sinh (61 )
- Thông tin -Thư viện (418 )
- Thể loại khác (1376 )
Danh mục TaiLieu.VN
- Mẫu Slide Powerpoint
- Luận Văn - Báo Cáo (346704)
- Kinh Doanh Marketing (67778)
- Kinh Tế - Quản Lý (50036)
- Tài Chính - Ngân Hàng (57809)
- Công Nghệ Thông Tin (143292)
- Tiếng Anh - Ngoại Ngữ (47261)
- Kỹ Thuật - Công Nghệ (137309)
- Khoa Học Tự Nhiên (110530)
- Khoa Học Xã Hội (85272)
- Văn Hoá - Nghệ Thuật (54491)
- Y Tế - Sức Khoẻ (177214)
- Nông - Lâm - Ngư (63475)
- Kỹ Năng Mềm (29084)
- Biểu Mẫu - Văn Bản (27862)
- Giải Trí - Thư Giãn (52535)
- Văn Bản Luật (199483)
- Tài Liệu Phổ Thông (409665)
- Trắc Nghiệm Online (213578)
- Trắc Nghiệm MBTI
- Trắc Nghiệm Holland
Thiết kế và đánh giá hiệu năng của SRAM tính toán trên bộ nhớ
Thiết kế và đánh giá hiệu năng của SRAM tính toán trên bộ nhớ: Đồ án tốt nghiệp ngành Công nghệ kỹ thuật máy tính/ Hoàng Đức Huy, Bùi Tuấn Khương; Phạm Văn Khoa (Giảng viên hướng dẫn). -- TP. Hồ Chí Minh: Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP. Hồ Chí Minh, 2024
Call no. : KMT-19 621.397 H678-H987
Call no. : KMT-19 621.397 H678-H987
Từ khóa: Biên độ nhiễu tĩnh, Cấu hình ô nhớ 6T, Lưu giữ, Lưu giữ trong, Bùi Tuấn Khương, Phạm Văn Khoa,
79 p ovanketv4 05/05/2025 89 0
Bạn đang xem trang mẫu tài liệu này.
Phát triển bởi Thư viện số
