Tài liệu Thư viện số

Danh mục TaiLieu.VN

PHÂN TÍCH KẾT CẤU VỎ BẰNG PHẦN TỬ MITC3+ ĐƯỢC LÀM TRƠN TRÊN PHẦN TỬ VỚI HÀM BUBBLE (bCS – MITC3+)

Trong bài báo này, kỹ thuật biến dạng trơn trên miền phần tử được phát triển cho phần tử vỏ
phẳng 3 nút được xây dựng từ các hàm dạng bậc 2 bằng cách thêm vào nút bubble tại trọng tâm phần tử. Hiện tượng “khóa cắt” khi chiều dày của phần tử tiến về không được khắc phục bằng kỹ thuật MITC3+ do Lee và cộng sự đề xuất năm 2014. Nhờ kết hợp kỹ thuật làm trơn và khử “khóa cắt” MITC3+, phần tử được phát triển trong luận văn này, gọi là bCS-MITC3+, có khả năng tính toán các kết cấu tấm, vỏ dày và mỏng.

Từ khóa: Khóa cắt, MITC3+, kỹ thuật biến dạng trơn trên miền phần tử, phần tử bCS-MITC3+

18 p ovanketv4 04/12/2017 450 1

Bạn đang xem trang mẫu tài liệu này.
Bình luận