Tài liệu Thư viện số

Danh mục TaiLieu.VN

Nghiên cứu nâng cao hiệu suất pin mặt trời dị thể vô định hình/tinh thể Silic có cấu trúc Emitter phía sau bằng phương pháp mô phỏng

Những năm gần đây, các nghiên cứu về pin mặt trời gia tăng nhanh chóng do nhu cầu sử dụng nguồn năng lượng bền vững, sạch và an toàn tăng lên. So với pin mặt trời đồng thể truyền thống, pin mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si hiện rất đang được quan tâm nghiên cứu vì hiệu suất chuyển đổi cao (24,7 % [4]), nhiệt độ chế tạo thấp , độ bền nhiệt cao.
Đối với loại pin mặt trời dị thể có dạng cấu trúc răng lược mặt sau IBC (Interdigitated Back - Contacted), có hiệu suất đạt tới 26,7 % với diện tích pin là 180,4 cm2, loại pin này được chế tạo ở nhiệt độ thấp (xấp xỉ 200 0C).

Từ khóa: Nghiên cứu nâng cao hiệu suất pin mặt trời dị thể vô định hình/tinh thể Silic có cấu trúc Emitter phía sau bằng phương pháp mô phỏng, HỒ CÔNG OANH KIỀU

22 p ovanke 08/10/2020 332 2

Bạn đang xem trang mẫu tài liệu này.
Bình luận