Tài liệu Thư viện số

Danh mục TaiLieu.VN

LUẬN VĂN:THIẾT KẾ, CHẾ TẠO VÀ KIỂM TRA CÁC ĐẶC TÍNH ĐIỆN CỦA TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG (FET) SỬ DỤNG ỐNG NANO CARBON

Sau một thời gian nghiên cứu sự phát triển của ngành chế tạo vi mạch tích hợp, năm 1965 tiến sĩ Gordon E.Moore đã công bố bài báo “Cramming more components onto integrated circuits” (tạp chí Electronics 19/4/1965). Trong bài báo của mình TS. Moore đã đưa ra dự đoán về sự phát triển của ngành chế tạo vi mạch và có một dự đoán nổi tiếng cho đến những năm gần đây: “Khi mật độ transistor, phần tử cơ bản trên một chip của mạch tổ hợp, tăng lên thì giá thành của mạch giảm xuống. Cứ sau 18 tháng thì mật độ đó

Từ khóa: luận văn, vi mạch tích hợp, ứng dụng ống nano carbon, transistor hiệu ứng trường, chế tạo vi mạch , mật độ transistor

38 p 275849 15/09/2012 540 8

Bình luận